🍧 🚳 👰🏿 कैसे FinFET के पिता ने मूर के कानून को बचाने में मदद की 🤳🏽 🔜 👼

चेनिंग हू, 2020 IEEE मेडल ऑफ ऑनर, तीसरे आयाम में ट्रांजिस्टर लाता है

यह 1995 था। चिप प्रौद्योगिकी में अग्रिम मूर के नियम से पीछे नहीं रहे - यह अवलोकन कि चिप में ट्रांजिस्टर की संख्या लगभग हर दो साल में दोगुनी हो जाती है - मुख्य रूप से ट्रांजिस्टर के आकार में कमी के कारण।

हालाँकि, क्षितिज अब इतना असीम नहीं लग रहा था। पहली बार, पूरे सेमीकंडक्टर उद्योग में अफवाहें फैल गईं जो मूर के कानून के निधन की भविष्यवाणी करते हैं। सोने का पैसा समाप्त हो जाएगा, भविष्यवक्ताओं ने प्रसारण किया, जब ट्रांजिस्टर की महत्वपूर्ण विशेषताओं का आकार, जो तब 350 एनएम के आदेश का आकार था, 100 एनएम तक गिर गया। यहां तक कि अमेरिकी सरकार भी चिंतित थी - इतना कि DARPA एजेंसी ने अलार्म बज दिया और नई चिप प्रौद्योगिकियों की खोज करने के लिए एक कार्यक्रम शुरू किया जो प्रगति जारी रख सके।

तब बर्कले में कैलिफोर्निया विश्वविद्यालय में इलेक्ट्रिकल और कंप्यूटर विज्ञान के एक प्रोफेसर चेनमिन हू इस चुनौती को स्वीकार करने में प्रसन्न थे। वह तुरंत समस्या के समाधान के साथ आया - वास्तव में, यहां तक कि दो - और, विमान पर बैठे, उन्हें ड्राफ्ट में स्केच किया। इनमें से एक विचार वर्तमान चैनल को उठाना था ताकि यह चिप की सतह से ऊपर उठ जाए। यह FinFET तकनीक में बदल गया, जिसके लिए इस वर्ष हू को IEEE मेडल ऑफ ऑनर "से सम्मानित किया गया, जो विशेष रूप से तीन आयामी संरचनाओं में अर्धचालक मॉडल के विकास और व्यावहारिक अनुप्रयोग में उत्कृष्ट करियर के लिए था, जिसने कई दशकों तक मूर के कानून के संरक्षण में योगदान दिया।"

स्वाभाविक रूप से, FinFET कहानी इस तथ्य से शुरू नहीं हुई थी कि हू ने एक हवाई जहाज में तह टेबल पर कागज पर एक पेंसिल के साथ कुछ खींचना शुरू कर दिया था।

यह ताइवान में शुरू हुआ, जहां हू, एक जिज्ञासु बच्चे, ने समुद्र के पानी के साथ घरेलू प्रयोग किए, और विघटित (और फिर एकत्र) अलार्म। स्कूल से स्नातक करने के बाद, वह अभी भी विज्ञान में रुचि रखते थे, मुख्य रूप से रसायन विज्ञान। लेकिन एक रसायनज्ञ होने के लिए अध्ययन के बजाय, उन्होंने नेशनल ताइवान विश्वविद्यालय में इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग के संकाय में प्रवेश किया , यहां तक कि यह जानने के बिना कि इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग क्या करता है। यह उसके लिए सिर्फ एक चुनौती थी - इस प्रशिक्षण कार्यक्रम के लिए, उच्चतम अंकों की आवश्यकता थी।

अपने अध्ययन के अंतिम वर्ष में, हू ने एक ऐसे उद्योग की खोज की, जो उनके कार्यों से हैरान हो जाएगा - सभी फ्रैंक फ्रैंग के लिए धन्यवाद, जिसे संयुक्त राज्य अमेरिका से व्याख्यान के लिए आमंत्रित किया गया था।

"यह 1968 था," हू याद करता है, "और फेंग ने हमें बताया कि भविष्य के टीवी सेमीकंडक्टर्स पर आधारित होंगे, और टेलीविजन सेट कुछ ऐसी तस्वीरों में बदल जाएंगे जो दीवारों पर लटकाए जा सकते हैं।"

पिक्चर ट्यूब के साथ भारी टीवी के युग में, इसने हू का ध्यान आकर्षित किया। उन्होंने फैसला किया कि अर्धचालक का अध्ययन उनके अनुरूप होगा, और संयुक्त राज्य अमेरिका में प्रशिक्षण के लिए आवेदन किया। 1969 में, वे बर्कले में समाप्त हो गए, जहां वे धातु ऑक्साइड अर्धचालक ट्रांजिस्टर ( एमजीआर संरचनाओं ) पर काम करने वाले एक शोध दल में शामिल हो गए ।

जल्द ही उनके करियर ने दिशा बदल दी, क्योंकि, जैसे-जैसे वह याद करते हैं, यह उन्हें बहुत आसान लगने लगा। उन्होंने ऑप्टिकल सर्किट के अध्ययन पर स्विच किया, एकीकृत प्रकाशिकी में अपने डॉक्टरेट का बचाव किया, और इस क्षेत्र में काम जारी रखने के लिए एमआईटी में स्थानांतरित कर दिया।

और फिर, 1973 में, एक तेल अवतार शुरू किया गया था। "यह मुझे प्रतीत हुआ कि मुझे कुछ महत्वपूर्ण करना चाहिए," उन्होंने कहा, "उपयोगी, और न केवल कुछ काम लिखो।"

इसलिए, उन्होंने ग्राउंड-आधारित अनुप्रयोगों के लिए सस्ती सौर पैनलों के विकास पर स्विच किया - उन दिनों में, सौर कोशिकाओं का उपयोग केवल उपग्रहों पर किया जाता था। 1976 में, वह बर्कले में लौट आए, पहले से ही एक प्रोफेसर, हाइब्रिड कारों सहित ऊर्जा के क्षेत्र में अनुसंधान करने की योजना बना रहे थे - और उन्होंने उसे अर्धचालक के लिए वापस ले लिया। "इलेक्ट्रिक कारों," हू बताते हैं, "उच्च वोल्टेज और उच्च वर्तमान अर्धचालक उपकरणों की आवश्यकता होती है।"

1980 के दशक की शुरुआत में, अर्धचालक अनुसंधान की वापसी तख्तापलट थी। सरकार ने ऊर्जा अनुसंधान के वित्तपोषण को रोक दिया, लेकिन सैन फ्रांसिस्को खाड़ी में स्थित कई कंपनियों ने अर्धचालक अनुसंधान का समर्थन किया और कॉर्पोरेट वित्त पर स्विच करना "लागू करने के लिए बहुत मुश्किल नहीं था," हू कहते हैं। उन्होंने बर्कले के पास सिलिकॉन वैली में अधिक समय बिताना शुरू किया, कंपनियों के निमंत्रण पर सेमीकंडक्टर उपकरणों पर लघु पाठ्यक्रम पढ़ाए। 1982 में, उन्होंने सांता क्लारा में नेशनल सेमीकंडक्टर के साथ सिलिकॉन वैली के बीच में अपनी छुट्टियां बिताईं ।

हू कहते हैं, "इस उद्योग में मेरी भागीदारी ने मेरे जीवन को लंबे समय तक प्रभावित किया है।" - विज्ञान में, हम एक दूसरे से महत्वपूर्ण चीजें सीखते हैं, और मुझे किसी चीज में दिलचस्पी थी जब मैंने किसी और के काम को पढ़ा और सोचा कि मैं बेहतर कर सकता हूं। और फिर, जब मैं उद्योग से परिचित हो गया, तो मुझे महसूस हुआ कि यह वहीं था जो दिलचस्प कामों के कारण था। ” और इस रहस्योद्घाटन ने हू को ट्रांजिस्टर की तीन आयामी संरचनाओं की खोज में अधिक सक्रिय होने का नेतृत्व किया है।

FinFET विशेषताएं: प्रत्येक ट्रांजिस्टर में एक स्रोत, एक नाली, उन्हें जोड़ने वाला एक प्रवाहकीय चैनल और एक गेट होता है जो चैनल में वर्तमान को नियंत्रित करता है। FinFET में, चैनल को चिप की सतह से ऊपर उठाया जाता है - एक शार्क फिन की तरह। फिन - फिन] - जो शटर को तीन तरफ से लपेटने की अनुमति देता है, जिसके परिणामस्वरूप यह वर्तमान को बेहतर ढंग से नियंत्रित कर सकता है।

एक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में चार मुख्य घटक होते हैं - एक स्रोत, एक नाली, उन्हें जोड़ने वाला एक प्रवाहकीय चैनल और एक गेट जो चैनल में वर्तमान को नियंत्रित करता है। और इन घटकों को जितना कम किया गया था, उतनी ही बार लोगों ने लंबे समय के बाद ट्रांजिस्टर के व्यवहार में परिवर्तन देखा। इन परिवर्तनों ने अल्पकालिक परीक्षणों में खुद को प्रकट नहीं किया, और कंपनियों को यह अनुमान लगाने में कठिनाई हुई कि वे प्रकट होंगे या नहीं।

1983 में, हू ने आईबीएम शोधकर्ताओं द्वारा प्रकाशित एक पेपर पढ़ा जिसमें एक समान परिवर्तन का वर्णन किया गया था। नेशनल सेमीकंडक्टर में अपने अनुभव के लिए धन्यवाद, उन्होंने महसूस किया कि दीर्घकालिक विश्वसनीयता की कमी के कारण उद्योग को किन कठिनाइयों का सामना करना पड़ सकता है। यदि वह "सबसे आगे" काम नहीं करता है, तो वह कहता है, "मैं इस समस्या के महत्व को नहीं समझूंगा, और इसे हल करने में लगभग 10 साल खर्च नहीं करना चाहेंगे।"

हू ने चुनौती को स्वीकार करने का फैसला किया, और छात्रों के एक समूह के साथ उन्होंने राज्यमंत्री की विश्वसनीयता का अनुमान लगाने के लिए गर्म वाहक इंजेक्शन का सिद्धांत विकसित किया । यह संख्यात्मक मॉडल इलेक्ट्रॉन प्रवास के दौरान एक उपकरण के क्षरण का वर्णन करता है। फिर उसने विश्वसनीयता की एक और समस्या की ओर रुख किया: ऑक्साइड समय के साथ कैसे कम हो गया, जो महत्वपूर्ण हो गया क्योंकि निर्माताओं ने धीरे-धीरे अर्धचालकों की ऑक्साइड परतों को अधिक से अधिक पतला बना दिया।

हू का कहना है कि इन अध्ययनों से उन्हें ट्रांजिस्टर के अंदर होने वाली प्रक्रियाओं को ध्यान से समझने की आवश्यकता थी। इसके बाद, इस काम ने बर्कले विश्वसनीयता उपकरण (BERT) और BSIM ट्रांजिस्टर मॉडल सेट को जन्म दिया। बीएसआईएम उद्योग मानक बन गया है और आज भी उपयोग में है। हू अभी भी नियमित रूप से अपने मॉडलों को अपडेट करने के लिए प्रभारी हैं।

हू ने छात्रों के साथ काम करना जारी रखा, ट्रांजिस्टर की बुनियादी विशेषताओं का अध्ययन करते हुए - वे कैसे काम करते हैं, वे कैसे विफल होते हैं, वे समय के साथ कैसे बदलते हैं - 1990 के दशक के मध्य तक। इस बीच, वाणिज्यिक चिप्स मूर के कानून के अनुसार विकसित हुए। हालांकि, 90 के दशक के मध्य तक, जब औसत विशेषता आकार 350 एनएम तक पहुंच गया, तो ट्रांजिस्टर के आकार को और कम करने की संभावनाओं ने निर्माताओं के बीच चिंता पैदा करना शुरू कर दिया।

"मूर के कानून का अंत पहले से ही दिखाई दे रहा है," लुईस टरमैन को याद करते हैं, जो उस समय आईबीएम रिसर्च में काम कर रहे थे।

मुख्य समस्या पोषण था। छोटे आयामों की विशेषता, अधिक समस्याएं वर्तमान में दूर प्रवाहित होने का कारण बनीं जबकि ट्रांजिस्टर बंद है। और ये लीक इतने महत्वपूर्ण हो गए कि वे चिप की बिजली की खपत के हिसाब से बढ़ गए - या यहाँ तक कि सबसे ज्यादा खाते हैं।

"काम की भविष्यवाणी के साथ प्रकट होना शुरू हुआ कि CMOS के लिए मूर का नियम 100 एनएम सीमा पार होने पर समाप्त हो जाएगा, क्योंकि कुछ बिंदु पर आपको एक रॉकेट के नोजल की तुलना में प्रति वर्ग सेंटीमीटर अधिक ऊर्जा को नष्ट करना होगा," हू कहते हैं। "उद्योग ने लड़ाई को हार मान लिया है।"

चेनमिंग हू ने 1976 में बर्कले में कैलिफोर्निया विश्वविद्यालय में पढ़ाना शुरू किया।

उनके शोध के पहले विषयों में हाइब्रिड कारें थीं, विशेष रूप से, एक गैसोलीन-इलेक्ट्रिक कार, जिसे उन्होंने 1980 में कैलिफोर्निया विश्वविद्यालय के बोर्ड के सदस्यों की बैठक में प्रस्तुत किया था।

1997 में अपनी प्रयोगशाला में, हू DARPA से पैसे के साथ FinFET के विकास में सक्रिय रूप से शामिल था।

मूर के कानून, DARPA को छोड़ना नहीं चाहता था ।अमेरिकी रक्षा विभाग के उन्नत अनुसंधान परियोजनाओं के कार्यालय ने उन अध्ययनों की तलाश की जो उन्हें वित्त देने के लिए इस बाधा को दूर करने का वादा करते थे। 1995 के मध्य में, उसने "25 एनएम संक्रमण" नामक एक परियोजना शुरू की।

"मुझे 25 एनएम के आयामों के साथ विचार पसंद आया - यह उद्योग में जितना संभव माना जाता था उससे कहीं आगे निकल गया," हू ने कहा।

हू ने मूलभूत समस्या को बेहद स्पष्ट माना - आपको चैनल को इतना पतला बनाने की आवश्यकता है कि इलेक्ट्रॉनों को गेट के पीछे नहीं खिसकाया जा सके। उस समय, इस समस्या के समाधान के बीच गेट पतली में ऑक्साइड परत बनाने का प्रस्ताव था। इसके लिए धन्यवाद, चैनल का नियंत्रण बेहतर हो गया, और रिसाव की मात्रा कम हो गई। हालांकि, हू के काम से पता चला कि ऐसा दृष्टिकोण खतरनाक सीमा के बहुत करीब था: यदि ऑक्साइड परत बहुत पतली बना दी गई थी, तो इलेक्ट्रॉन एक सिलिकॉन सब्सट्रेट पर इसके माध्यम से कूदने में सक्षम होंगे, जो रिसाव के एक अन्य स्रोत को जन्म देगा।

दो अन्य विकल्पों ने तुरंत मेरे दिमाग को पार कर दिया। एक ट्रांजिस्टर के नीचे सिलिकॉन में एक इन्सुलेशन परत जोड़कर गेट के चारों ओर आरोपों को जटिल करना है। इस तरह के एक सर्किट को "सब्सट्रेट पर पूरी तरह से गिरा हुआ सिलिकॉन", या एफडीएसओआई कहा जाता था। एक और एक शार्क फिन के तरीके से सब्सट्रेट के ऊपर एक पतली चैनल को ऊपर उठाने से शटर को नियंत्रित करने की क्षमता को बढ़ाना था - ताकि शटर को तीन तरफ से चैनल के चारों ओर लपेटा जा सके, और न केवल ऊपर से आयोजित किया जा सके। इस संरचना को FinFET कहा जाता था, और इसका एक और फायदा था - तीसरे आयाम के उपयोग से द्वि-आयामी विमान पर भार कम हो गया, और तीन-आयामी ट्रांजिस्टर के निर्माण का मार्ग प्रशस्त हुआ।

हालाँकि, DARPA को एप्लिकेशन भेजने में ज्यादा समय नहीं बचा था। हू ने अपने एक सहयोगी, जेफरी बोकोर से फंडिंग प्रस्ताव के बारे में सीखा, जिन्होंने DARPA के कार्यक्रम निदेशक के साथ विंडसर्फिंग करते हुए इसके बारे में पता लगाया। इसलिए, हू जल्दी से बोकोर और उनके एक अन्य साथी, त्सू जे किंग से मिले, और इस बात पर सहमत हुए कि टीम सप्ताह के लिए एक प्रस्ताव तैयार करेगी। कुछ दिनों के बाद, जापान के लिए उड़ान भरते समय, उन्होंने इस योजना के दो संस्करणों को स्केच किया और अपने होटल पहुंचने पर बर्कले को फैक्स द्वारा चित्र और तकनीकी विवरण भेजे। टीम ने अपना प्रस्ताव भेजा, और बाद में DARPA ने टीम को चार साल का अनुसंधान अनुदान आवंटित किया।

तब तक, FinFET के समान विचार पहले से ही वैज्ञानिक पत्रों में दिखाई दिए थे। हालांकि, हू और उनकी टीम ने वास्तव में औद्योगिक उत्पादन के लिए उपयुक्त उपकरणों का निर्माण किया, और दिखाया कि उनकी सर्किटरी 25 एनएम या उससे कम आकार के ट्रांजिस्टर कैसे बनाएगी। “अन्य वैज्ञानिक जो इन कामों को पढ़ते हैं, उन्होंने इस तरह के दृष्टिकोण को समस्या का समाधान नहीं माना, क्योंकि ऐसे ट्रांजिस्टर का निर्माण करना मुश्किल होगा, और यह स्पष्ट नहीं है कि वे काम करेंगे या नहीं। और यहां तक कि कार्यों के लेखकों ने भी इस विचार को आगे विकसित नहीं किया है, हू कहते हैं। - मुझे लगता है कि अंतर यह था कि हमने इस समस्या को देखा और फैसला किया कि हम इसके साथ काम करना चाहते हैं, क्योंकि हम दूसरी नौकरी लिखना चाहते थे या कोई अन्य अनुदान प्राप्त करना चाहते थे, लेकिन क्योंकि हम उद्योग की मदद करना चाहते थे। हमने सोचा कि हमें मूर के कानून को बढ़ाने की जरूरत है। ”

"हम, प्रौद्योगिकीविदों के रूप में," हू जारी है, "यह सुनिश्चित करने के लिए जिम्मेदार थे कि वह बंद नहीं हुआ। क्योंकि जैसे ही वह रुक जाता है, हम तुरंत मानव जाति की सबसे जटिल समस्याओं को हल करने के लिए अपनी क्षमताओं के विस्तार की उम्मीद खो देंगे। ”

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वह और टीम “FinFET को विकसित करने के लिए अच्छी तरह से अनुकूल थे क्योंकि उन्होंने अपने छात्रों को उपकरणों के बारे में सोचना सिखाया था,” एलीस रोसेनबूम, उनके पूर्व छात्र, और अब अर्बाना विश्वविद्यालय में एक प्रोफेसर के रूप में अर्बाना-शैंपेन कहते हैं। “वह समग्र तस्वीर के महत्व पर जोर देता है, स्थिति की मात्रात्मक समझ। सेमीकंडक्टर डिवाइस का अध्ययन, कुछ लोग तीन आयामी ग्रिड के सभी बिंदुओं के एक मॉडल और बाद के संख्यात्मक समाधान बनाने पर ध्यान केंद्रित करते हैं। उन्होंने हमें एक कदम पीछे ले जाना, डिवाइस में विद्युत क्षेत्र के वितरण, संभावित अवरोधों के स्थान और जब हम एक निश्चित हिस्से के आकार को बदलते हैं तो विद्युत प्रवाह कैसे बदलता है, इसकी कल्पना करने की कोशिश की। "

हू ने सेमीकंडक्टर उपकरणों के व्यवहार की कल्पना करने के महत्व पर इतना विश्वास किया कि एक बार, रोसेनबाम के अनुसार, छात्रों को इस प्रक्रिया को सिखाने की कोशिश करते हुए, "उन्होंने हमारे लिए अपने बच्चों से ली गई प्लास्टिसिन से एक एमओएस ट्रांजिस्टर के व्यवहार का एक मॉडल बनाया।"

"यह सब एक आविष्कार है कि अचानक शून्य से प्रकट हुए की तरह देखा," Fari Assaderagi, पर नवाचार और प्रौद्योगिकी के एक पूर्व छात्र और अब उपाध्यक्ष ने कहा एनएक्सपी सेमीकंडक्टर्स । - हालांकि, उनकी टीम ने एक आदर्श उपकरण की मूलभूत अवधारणाओं पर काम किया, जिसकी शुरुआत भौतिकी की बहुत नींव से हुई थी। और इस तरह की संरचना बनाने का विचार वहाँ से आता है। ”

वर्ष 2000 तक, चार साल के वित्तीय समर्थन के अंत में, हू और उनकी टीम ने काम करने वाले उपकरणों का निर्माण किया और उनके शोध को प्रकाशित किया, जिसने कई उद्योग प्रतिनिधियों के त्वरित हित को आकर्षित किया। हालाँकि, FinFET चिप्स को असेंबली लाइन्स को रोल करना शुरू करने के लिए एक और दस साल लग गए, और इंटेल चिप 2011 में पहली बार था। इसमें इतना समय क्यों लगा?

"स्थिति अभी तक नहीं टूटी है," हू बताते हैं, उद्योग के अधिक से अधिक कॉम्पैक्ट डिजाइन का उत्पादन करने की क्षमता का जिक्र करते हुए। "लोगों ने सोचा कि यह टूट जाएगा, लेकिन आप कुछ ऐसा नहीं कर सकते जो अभी तक टूटा नहीं है।"

यह पता चला कि DARPA के प्रबंधकों ने भविष्य की भविष्यवाणी की - उन्होंने वित्तपोषण परियोजना को "25 एनएम में संक्रमण" कहा, और जब FinFET दिखाई दिया, तो सेमीकंडक्टर उद्योग पहले ही 25 एनएम से नीचे की तकनीकी प्रक्रियाओं में बदल गया था।

इस बीच, FDSOI भी विकसित हुआ है और आज भी उद्योग में उपयोग किया जाता है। विशेष रूप से, इसका उपयोग ऑप्टिकल और रेडियो उपकरणों में किया जाता है, और FinFET प्रोसेसर उद्योग पर हावी है। हू कहते हैं कि उन्होंने कभी नहीं कहा कि एक दृष्टिकोण दूसरे की तुलना में बेहतर है।

FinFET की स्थापना के दिनों में, हू ने ताइवान में सेमीकंडक्टर निर्माता TSMC में CTO के रूप में काम करने के लिए बर्कले से तीन साल की छुट्टी ली। उन्होंने इसे देश के लिए एक ऋण चुकाने का अवसर माना जहां उन्होंने अपनी प्रारंभिक शिक्षा प्राप्त की। वह 2004 में बर्कले लौट आए, ऊर्जा कुशल अर्धचालक उपकरणों का अध्ययन, अध्ययन करना और बीएसआईएम का समर्थन करना जारी रखा। 2009 में, हू ने नियमित शिक्षण पूरा किया, लेकिन अभी भी एक मानद प्रोफेसर के रूप में स्नातक छात्रों के साथ काम करता है।

हू के बर्कले लौटने के बाद, FinFET तकनीक ने उद्योग पर कब्जा कर लिया। और मूर का कानून 25 एनएम पर समाप्त नहीं हुआ, हालांकि उनकी मृत्यु अभी भी नियमित रूप से भविष्यवाणी की गई है।

हू कहते हैं, "प्रगति धीरे-धीरे कम हो जाएगी, लेकिन हमारे पास एमओएस के लिए एक और सौ साल के लिए प्रतिस्थापन नहीं होगा।" हालांकि, उसने उम्मीद नहीं खोई। “सर्किट घनत्व, बिजली की खपत और गति में सुधार के तरीके हैं, और हम अर्धचालक उद्योग से उम्मीद कर सकते हैं कि वे लोगों को तेजी से उपयोगी, सुविधाजनक और पोर्टेबल डिवाइस प्रदान करना जारी रखें। हमें अधिक रचनात्मक और अधिक आत्मविश्वास के साथ मुद्दे पर पहुंचने की जरूरत है। ”

कैसे FinFET के पिता ने मूर के कानून को बचाने में मदद की

चेनिंग हू, 2020 IEEE मेडल ऑफ ऑनर, तीसरे आयाम में ट्रांजिस्टर लाता है

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