👍🏿 🧕🏿 🐲 सैटर्न 5 रॉकेट में चुंबकीय कोर पर स्मृति 🍹 👨🏼‍🤝‍👨🏻 🕵🏿

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यह मेमोरी मॉड्यूल 1960 के दशक के मध्य में सुधारा गया था। इसे बनाने के लिए, सतह के बढ़ते, हाइब्रिड मॉड्यूल और लचीले कनेक्शन के घटकों का उपयोग किया गया था, जिसने इसे उस समय की सामान्य कंप्यूटर मेमोरी की तुलना में छोटे और हल्के परिमाण का एक क्रम बना दिया। हालाँकि, मेमोरी मॉड्यूल 26 बिट्स के केवल 4096 शब्दों को संग्रहीत करने की अनुमति देता है ।

चुंबकीय कोर मेमोरी मॉड्यूल। यह मॉड्यूल 26 डेटा बिट्स और 2 पैरिटी बिट्स से 4K शब्दों को संग्रहीत करता है। चार मेमोरी मॉड्यूल 16,384 शब्दों की कुल क्षमता के साथ, इसका वजन 2.3 किलोग्राम है और मापता है 14 सेमी × 14 सेमी × 16 सेमी।

चंद्रमा के लिए उड़ान 25 मई, 1961 को शुरू हुई, जब राष्ट्रपति कैनेडी ने घोषणा की कि अमेरिका दशक के अंत से पहले चंद्रमा पर एक आदमी को उतारेगा। इसके लिए, अब तक का सबसे शक्तिशाली रॉकेट थ्री-स्टेज रॉकेट सैटर्न 5 का इस्तेमाल किया गया था। लॉन्च वाहन के तीसरे चरण में, शनि 5 को एक कंप्यूटर ( यहां इसके बारे में अधिक है) द्वारा नियंत्रित और नियंत्रित किया गया , जो पृथ्वी की कक्षा में टेक-ऑफ से शुरू होता है, और फिर चंद्रमा पर जाने पर। (उस समय का अपोलो जहाज सैटर्न -5 रॉकेट से अलग हो गया था, और LVDC का कार्य पूरा हो गया था)।

LVDC बेस फ्रेम में स्थापित है। कंप्यूटर के मोर्चे पर गोल कनेक्टर दिखाई देते हैं। लिक्विड कूलिंग के लिए 8 इलेक्ट्रिकल कनेक्टर और दो कनेक्टर का इस्तेमाल किया

LVDC अपोलो के कई कंप्यूटरों में से एक था। LVDC एक उड़ान नियंत्रण प्रणाली से जुड़ा हुआ है, जो 45-पाउंड का एनालॉग कंप्यूटर है। अपोलो गाइडेंस कंप्यूटर (एजीसी) ऑनबोर्ड नेविगेशन कंप्यूटर ने अंतरिक्ष यान को चंद्रमा की सतह की ओर निर्देशित किया। कमांड मॉड्यूल में एक एजीसी होता है, जबकि चंद्र मॉड्यूल में एबोर्ट नेविगेशन सिस्टम, एक बैकअप आपातकालीन कंप्यूटर के साथ एक दूसरा एजीसी होता था।

अपोलो में कई कंप्यूटर सवार थे

इकाई तर्क उपकरण (ULD)

LVDC एक दिलचस्प हाइब्रिड तकनीक का उपयोग करके बनाया गया था जिसे ULD, यूनिट लोड डिवाइस कहा जाता है। यद्यपि वे एकीकृत सर्किट की तरह दिखते थे, यूएलडी मॉड्यूल में कई घटक थे। उन्होंने सरल सिलिकॉन क्रिस्टल का उपयोग किया, जिनमें से प्रत्येक में केवल एक ट्रांजिस्टर या दो डायोड थे। ये मैट्रीक, मोटी-मोटी प्रिंट वाली प्रिंटेड रेसिस्टर्स के साथ, एक सिरेमिक प्लेट पर लगे होते थे, जिसमें लॉजिक गेट जैसे सर्किट का एहसास होता था। ये मॉड्यूल आईबीएम के लोकप्रिय एस / 360 श्रृंखला कंप्यूटर के लिए विकसित ठोस तर्क प्रौद्योगिकी (एसएलटी) मॉड्यूल का एक प्रकार थे । आईबीएम ने 1961 में एसएलटी मॉड्यूल विकसित करना शुरू किया, इससे पहले कि एकीकृत सर्किट व्यावसायिक रूप से व्यवहार्य हो जाते, और 1966 तक, आईबीएम ने प्रति वर्ष 100 मिलियन से अधिक एसएलटी मॉड्यूल का उत्पादन किया।

ULD मॉड्यूल SLT मॉड्यूल की तुलना में काफी छोटा था, जैसा कि नीचे दी गई तस्वीर में देखा जा सकता है, जो उन्हें कॉम्पैक्ट स्पेस कंप्यूटर के लिए अधिक उपयुक्त बनाता है। ULD मॉड्यूल ने SLT में धातु के पिंस के बजाय सिरेमिक कोटिंग पैड का उपयोग किया, और पिन के बजाय शीर्ष पर धातु के संपर्क थे। बोर्ड पर क्लैम्प्स को जगह पर ULD मॉड्यूल रखा गया और इन पिनों से जोड़ा गया।

एकीकृत परिपथों के बजाय IBM ने SLT का उपयोग क्यों किया? मुख्य कारण यह था कि एकीकृत सर्किट अभी भी अपनी प्रारंभिक अवस्था में थे, उनका आविष्कार 1959 में किया गया था। 1963 में, SLT मॉड्यूल्स में इंटीग्रेटेड सर्किट्स की लागत और प्रदर्शन लाभ थे। हालांकि, एकीकृत सर्किट की तुलना में SLT मॉड्यूल को अक्सर पिछड़ा माना जाता था। एकीकृत परिपथों पर SLT मॉड्यूल के फायदों में से एक यह था कि SLT में प्रतिरोधक एकीकृत परिपथों की तुलना में बहुत अधिक सटीक थे। निर्माण के दौरान, एसएलटी मॉड्यूल में मोटी फिल्म रेसिस्टर्स को प्रतिरोधी प्रतिरोध को हटाने के लिए अच्छी तरह से सैंडब्लास्ट किया गया जब तक कि वे वांछित प्रतिरोध प्राप्त नहीं कर लेते। एसएलटी 1960 के दशक में तुलनीय एकीकृत परिपथों की तुलना में सस्ते थे।

LVDC और संबंधित उपकरणों ने ULD के 50 से अधिक विभिन्न प्रकारों का उपयोग किया।

SLT मॉड्यूल (बाएं) ULD मॉड्यूल (दाएं) की तुलना में काफी बड़े हैं। ULD का आकार 7.6 मिमी × 8 मिमी है।

नीचे दिया गया फोटो ULD मॉड्यूल के आंतरिक घटकों को दर्शाता है। सिरेमिक प्लेट में बाईं ओर चार छोटे वर्ग सिलिकॉन क्रिस्टल से जुड़े कंडक्टर दिखाई देते हैं। यह एक मुद्रित सर्किट बोर्ड की तरह दिखता है, लेकिन ध्यान रखें कि यह एक नाखून से बहुत छोटा है। दाईं ओर काली आयतें मोटी-फिल्म प्रतिरोधक प्लेट के नीचे की तरफ मुद्रित होती हैं।

ULD, ऊपर और नीचे का दृश्य। सिलिकॉन क्रिस्टल और प्रतिरोधक दिखाई देते हैं। जबकि SLT मॉड्यूल में ऊपरी सतह पर प्रतिरोधक थे, ULD मॉड्यूल में नीचे की तरफ प्रतिरोधक थे, जिससे घनत्व और लागत में वृद्धि हुई

नीचे दी गई तस्वीर में आप यूएलडी मॉड्यूल से एक सिलिकॉन क्रिस्टल देख सकते हैं, जो दो डायोड को लागू करता है। आकार असामान्य रूप से छोटे हैं, तुलना के लिए, चीनी क्रिस्टल पास हैं। क्रिस्टल में तीन गोले में सोल्डर किए गए कॉपर बॉल्स के माध्यम से तीन बाहरी कनेक्शन थे। दो निचले वृत्त (दो डायोड के एनोड) को डोप किया गया था (गहरा क्षेत्र), जबकि ऊपरी दायां चक्र आधार से जुड़ा कैथोड था।

चीनी क्रिस्टल के बगल में एक दो-डायोड सिलिकॉन क्रिस्टल की तस्वीर

चुंबकीय कोर मेमोरी कैसे काम करती है

चुंबकीय कोर मेमोरी 1950 से कंप्यूटरों पर डेटा स्टोरेज का मुख्य रूप रही है, 1970 के दशक तक इसे सेमीकंडक्टर मेमोरी डिवाइस द्वारा बदल दिया गया था। मेमोरी को कोरस नामक छोटे फेराइट रिंग्स से बनाया गया था। फेराइट रिंग्स को एक आयताकार मैट्रिक्स में व्यवस्थित किया गया था, और जानकारी को पढ़ने और लिखने के लिए प्रत्येक रिंग से दो से चार तारों को पारित किया गया था। रिंगों ने एक बिट जानकारी संग्रहीत करने की अनुमति दी। कोर को फेराइट रिंग से गुजरने वाले तारों के माध्यम से एक वर्तमान पल्स के साथ चुंबकित किया गया था। विपरीत दिशा में एक नाड़ी भेजने से एक कोर के चुंबकीयकरण की दिशा को बदला जा सकता है।

कोर मूल्य को पढ़ने के लिए, वर्तमान पल्स ने अंगूठी को राज्य में बदल दिया 0. यदि कोर पहले राज्य 1 में था, तो एक बदलते चुंबकीय क्षेत्र ने कोर में घुसने वाले तारों में से एक में एक वोल्टेज बनाया। लेकिन अगर कोर पहले से ही राज्य 0 में था, तो चुंबकीय क्षेत्र नहीं बदलेगा, और वोल्टेज संवेदी तार में नहीं बढ़ेगा। इस प्रकार, कोर में बिट मान को शून्य पर रीसेट करके और संवेदी तार पर वोल्टेज की जांच करके पढ़ा गया था। चुंबकीय कोर मेमोरी की एक महत्वपूर्ण विशेषता यह थी कि फेराइट रिंग पढ़ने की प्रक्रिया ने इसके अर्थ को नष्ट कर दिया था, इसलिए कोर को "पुनर्लेखन" करना पड़ा।

प्रत्येक कोर के चुंबकीयकरण को बदलने के लिए एक अलग तार का उपयोग करना असुविधाजनक था, लेकिन 1950 के दशक में फेराइट मेमोरी विकसित की गई थी जो मिलान धाराओं के सिद्धांत पर काम करती है। एक चार-तार सर्किट - एक्स, वाई, पढ़ा, प्रतिबंध - आम तौर पर स्वीकार कर लिया गया है। तकनीक ने हिस्टैरिसीस नामक कोर की एक विशेष संपत्ति का उपयोग किया: एक छोटा वर्तमान फेराइट मेमोरी को प्रभावित नहीं करता है, लेकिन दहलीज मूल्य से अधिक वर्तमान कोर को चुंबकित करेगा। जब एक लाइन एक्स और एक लाइन वाई के लिए आधा आवश्यक वर्तमान के साथ बिजली की आपूर्ति की गई थी, तो केवल कोर जिसमें दोनों लाइनों को मैग्नेटाइजेशन रिवर्सल के लिए पर्याप्त वर्तमान प्राप्त किया गया था, जबकि अन्य कोर बरकरार रहे।

IBM 360 Model 50. LVDC 50 , 19-32, 19 (0.4826 ), 32 (0,8 ). , , LVDC

नीचे दी गई तस्वीर एक आयताकार LVDC मेमोरी मैट्रिक्स दिखाती है। 8 इस मैट्रिक्स में १२ wires एक्स-तार हैं जो लंबवत रूप से चल रहे हैं और ६४ वाई-तार क्षैतिज रूप से चल रहे हैं, प्रत्येक चौराहे पर एक कोर है। एकमात्र पढ़ने वाला तार वाई-आकार के तारों के समानांतर सभी तारों से गुजरता है। लेखन तार और प्रतिबंध तार एक्स-तारों के समानांतर सभी तारों से गुजरते हैं। मैट्रिक्स के बीच में तारों को काटना; यह प्रेरित शोर को कम करता है, क्योंकि एक आधे से शोर दूसरे आधे से शोर को बेअसर करता है।

8192 बिट्स वाले एक LVDC फेराइट मेमोरी मैट्रिक्स। अन्य मेट्रिसेस से कनेक्शन बाहर की ओर पिन के माध्यम से है

ऊपर दिए गए मैट्रिक्स में 8192 तत्व थे, जिनमें से प्रत्येक ने एक बिट को बचाया। मेमोरी शब्द को संरक्षित करने के लिए, शब्द में प्रत्येक बिट के लिए एक साथ कई बुनियादी मैट्रिक्स जोड़े गए थे। तार X और Y सभी मुख्य मेट्रिसेस के माध्यम से सांप से गुजरे। प्रत्येक मैट्रिक्स में पढ़ने के लिए एक अलग लाइन और लिखने के लिए निषेध की एक अलग लाइन थी। LVDC मेमोरी ने 14 बेस मेट्रिसेस (नीचे) के एक स्टैक का उपयोग किया है जो एक समता बिट के साथ-साथ 13-बिट शब्दांश को स्टोर करता है।

LVDC स्टैक में 14 मुख्य मैट्रिक्स होते हैं

चुंबकीय कोर पर स्मृति को लिखने के लिए अतिरिक्त तारों की आवश्यकता होती है, तथाकथित निषेध रेखाएं। प्रत्येक मैट्रिक्स में निषेध की एक पंक्ति थी, इसमें सभी कोर को छेदते हुए। रिकॉर्डिंग प्रक्रिया के दौरान, वर्तमान एक्स और वाई के माध्यम से गुजरता है, चयनित 1 (विमान प्रति) को राज्य 1 में चुम्बकीय करता है, शब्द में सभी 1 रखता है। बिट स्थिति पर 0 लिखने के लिए, लाइन को एक्स लाइन के विपरीत आधा वर्तमान के साथ खिलाया गया था। परिणामस्वरूप, कोर 0. पर बने रहे। इस प्रकार, निषेध लाइन ने कोर को 1 से अधिक नहीं होने दिया। किसी भी वांछित शब्द को संबंधित निषेध लाइनों को सक्रिय करने के लिए मेमोरी में लिखा जा सकता है।

LVDC मेमोरी मॉड्यूल

LVDC मेमोरी मॉड्यूल को शारीरिक रूप से कैसे बनाया जाता है? मेमोरी मॉड्यूल के केंद्र में पहले दिखाए गए 14 फेरोमैग्नेटिक मेमोरी मैट्रिस का ढेर है। यह एक्स और वाई तारों और निषेध लाइनों, बिट लाइनों, त्रुटि का पता लगाने और आवश्यक घड़ी संकेतों की पीढ़ी को नियंत्रित करने के लिए एक सर्किट के साथ कई सर्किट बोर्डों से घिरा हुआ है।

सामान्य तौर पर, मेमोरी से संबंधित अधिकांश सर्किट LVDC के कंप्यूटर लॉजिक में होते हैं, और मेमोरी मॉड्यूल में ही नहीं होते हैं। विशेष रूप से, कंप्यूटर के तर्क में पते और डेटा शब्द को संग्रहीत करने और धारावाहिक और समानांतर के बीच रूपांतरण के लिए रजिस्टर शामिल हैं। इसमें बिट लाइन, एरर चेकिंग और क्लॉकिंग के लिए रीडिंग सर्किट भी होता है।

एक मेमोरी मॉड्यूल जो प्रमुख घटकों को दर्शाता है। MIB (बहुपरत इंटरकनेक्शन बोर्ड) एक 12-लेयर PCB है

मेमोरी ड्राइवर बोर्ड वाई

चुंबकीय कोर पर स्मृति में शब्द बोर्ड के मुख्य स्टैक के माध्यम से संबंधित लाइनों X और Y को पास करके चुना जाता है। आइए वाई-चालक सर्किट के विवरण के साथ शुरू करें और यह 64 वाई-लाइनों में से एक के माध्यम से एक संकेत कैसे उत्पन्न करता है। 64 अलग-अलग ड्राइवर सर्किट के बजाय, मॉड्यूल 8 "उच्च" ड्राइवरों और 8 "कम" ड्राइवरों का उपयोग करके सर्किट की संख्या को कम करता है। वे एक "मैट्रिक्स" कॉन्फ़िगरेशन में जुड़े हुए हैं, इसलिए उच्च और निम्न ड्राइवरों का प्रत्येक संयोजन अलग-अलग लाइनों का चयन करता है। इस प्रकार, 8 "उच्च" और 8 "कम" ड्राइवर 64 (8 × 8) वाई-लाइनों में से एक का चयन करते हैं।

वाई ड्राइवर बोर्ड (सामने) बोर्ड स्टैक में वाई चयन लाइनों को नियंत्रित करता है

नीचे दी गई तस्वीर में आप कुछ यूएलडी मॉड्यूल (सफेद) और ट्रांजिस्टर जोड़े (गोल्डन) देख सकते हैं जो वाई चयन लाइनों को नियंत्रित करते हैं। "ईआई" मॉड्यूल ड्राइवर का दिल है: यह एक निरंतर वोल्टेज पल्स (ई) बचाता है या एक निरंतर पल्स (I) गुजरता है। पसंद की लाइन के माध्यम से। चयन लाइन लाइन के एक छोर पर वोल्टेज मोड में ईआई मॉड्यूल के सक्रियण और दूसरे छोर पर वर्तमान मोड में ईआई मॉड्यूल द्वारा नियंत्रित की जाती है। परिणाम सही वोल्टेज के साथ एक नाड़ी है और कोर को फिर से भरने के लिए पर्याप्त पर्याप्त है। इसे पलटने में बहुत गति लगती है; वोल्टेज पल्स 17 वोल्ट पर तय किया गया है, और तापमान के आधार पर वर्तमान में 180 एमए से लेकर 260 एमए तक है।

एक ड्राइवर बोर्ड Y का मैक्रो फोटो जिसमें छह ULD मॉड्यूल और छह जोड़े ट्रांजिस्टर दिखाई दे रहे हैं। प्रत्येक ULD मॉड्यूल को IBM भाग संख्या, मॉड्यूल प्रकार (उदाहरण के लिए, "EI") और एक कोड के साथ लेबल किया गया है, जो अस्पष्ट है।

बोर्ड में त्रुटि ट्रैकिंग (ED) मॉड्यूल भी हैं जो यह पता लगाते हैं कि एक ही समय में एक से अधिक चयन लाइन Y सक्रिय है। ED मॉड्यूल एक साधारण मॉड्यूल का उपयोग करता है। सेमी-एनालॉग समाधान: यह प्रतिरोधों के एक नेटवर्क का उपयोग करके इनपुट वोल्टेज को समेटता है। यदि परिणामस्वरूप वोल्टेज थ्रेशोल्ड से ऊपर है, तो कुंजी को ट्रिगर किया जाता है।

चालक मंडल के तहत एक डायोड सरणी होती है जिसमें 256 डायोड और 64 प्रतिरोधक होते हैं। यह मैट्रिक्स चालक के बोर्ड से संकेतों के 8 ऊपरी और 8 निचले जोड़े को 64 वाई-लाइनों के कनेक्शन में परिवर्तित करता है जो कि बोर्डों के मुख्य स्टैक से गुजरते हैं। बोर्ड के ऊपर और नीचे के लचीले केबल बोर्ड को डायोड सरणी से जोड़ते हैं। बाईं ओर दो लचीली केबल (फोटो में दिखाई नहीं दे रही हैं) और दाईं ओर दो बसें (उनमें से एक दिखाई दे रही है) डायोड एरे को कोर के एरे से जोड़ती हैं। बाईं ओर दिखाई देने वाला लचीला केबल, I / O बोर्ड के माध्यम से वाई-कार्ड को शेष कंप्यूटर से जोड़ता है, और निचले दाएं कोने में स्थित छोटा लचीला केबल घड़ी सर्किट बोर्ड से जुड़ता है।

एक्स मेमोरी ड्राइवर बोर्ड

एक्स लाइनों को नियंत्रित करने के लिए सर्किट वाई सर्किट के समान है, सिवाय इसके कि 128 एक्स लाइनें और 64 वाई लाइनें हैं। चूंकि कई एक्स-तार दो बार हैं, इसलिए मॉड्यूल में एक दूसरा एक्स-ड्राइवर बोर्ड स्थित है। हालाँकि X और Y बोर्ड में एक ही घटक होते हैं, फिर भी वायरिंग अलग होती है।

यह बोर्ड, और इसके नीचे वाला, कोर कार्ड्स के स्टैक में एक्स चयनित लाइनों को नियंत्रित करता है।

नीचे दी गई फोटो से पता चलता है कि बोर्ड पर कुछ घटक क्षतिग्रस्त हो गए थे। ट्रांजिस्टर में से एक पक्षपाती है, यूएलडी मॉड्यूल आधे में टूट गया है, और दूसरा टूट गया है। टूटे हुए मॉड्यूल पर वायरिंग दिखाई देती है, छोटे सिलिकॉन क्रिस्टल में से एक (दाईं ओर) भी दिखाई देता है। इस फोटो में आप 12-लेयर प्रिंटेड सर्किट बोर्ड पर वर्टिकल और हॉरिजॉन्टल कंडक्टिव ट्रैक्स के निशान भी देख सकते हैं।

क्षतिग्रस्त बोर्ड का क्लोज-अप

ड्राइवर बोर्ड के तहत X डायोड X का एक मैट्रिक्स है, जिसमें 288 डायोड और 128 रेसिस्टर्स होते हैं। एक्स-डायोड सरणी घटकों की संख्या को दोगुना करने से बचने के लिए वाई-डायोड बोर्ड से एक अलग टोपोलॉजी का उपयोग करता है। वाई-डायोड बोर्ड की तरह, इस बोर्ड में दो मुद्रित सर्किट बोर्ड के बीच लंबवत रूप से माउंट किए गए घटक होते हैं। इस विधि को "कॉर्डवुड" कहा जाता है और आपको घटकों को कसकर पैक करने की अनुमति मिलती है।

डायोड एक्स के मैट्रिक्स का एक मैक्रो फोटो 2 मुद्रित सर्किट बोर्डों के बीच कॉर्डवुड तकनीक के अनुसार लंबवत घुड़सवार डायोड दिखाता है। दो एक्स चालक मंडल डायोड बोर्ड के ऊपर स्थित होते हैं, उन्हें पॉलीयुरेथेन फोम द्वारा अलग किया जाता है। कृपया ध्यान दें कि सर्किट बोर्ड एक-दूसरे के बहुत करीब हैं।

मेमोरी एम्पलीफायरों

नीचे दी गई तस्वीर रीडआउट एम्पलीफायर बोर्ड को दिखाती है। मेमोरी स्टैक से 7 बिट्स पढ़ने के लिए 7 चैनल हैं; समान बोर्ड नीचे एक और 7 बिट्स की प्रक्रिया करता है, कुल 14 बिट्स। रीड एम्पलीफायर का उद्देश्य एक चुंबकीय सिग्नल द्वारा उत्पन्न एक कमजोर सिग्नल (20 मिलीवॉल) का पता लगाना और इसे 1-बिट आउटपुट में बदलना है। प्रत्येक चैनल में एक अंतर एम्पलीफायर और एक बफर होता है, जिसके बाद एक अंतर ट्रांसफार्मर और एक आउटपुट कुंडी होती है। बाईं ओर, एक 28-कोर लचीली केबल मेमोरी स्टैक से जुड़ती है, जिससे प्रत्येक रीड वायर के दो सिरों को एम्पलीफायर सर्किट से जोड़ा जाता है, जो MSA-1 मॉड्यूल (मेमोरी रीड एम्पलीफायर) से शुरू होता है। व्यक्तिगत घटक प्रतिरोधक (भूरे रंग के सिलेंडर), कैपेसिटर (लाल), ट्रांसफार्मर (काले) और ट्रांजिस्टर (सोना) हैं। डेटा बिट्स दाईं ओर फ्लेक्स केबल के माध्यम से रीडआउट एम्पलीफायर बोर्डों से बाहर निकलते हैं।

निषेध ड्राइवरों का उपयोग मुख्य मॉड्यूल के नीचे स्थित मेमोरी में लिखने के लिए किया जाता है। स्टैक पर प्रत्येक मैट्रिक्स के लिए 14 वर्जित लाइनें हैं। 0 बिट्स लिखने के लिए, संबंधित लॉक ड्राइवर सक्रिय होता है, और अवरोधक रेखा के माध्यम से वर्तमान कोर को 1 पर स्विच करने से रोकता है। प्रत्येक पंक्ति एक ID-1 और ID-2 मॉड्यूल द्वारा संचालित होती है (राइट इनहिबिट लाइन ड्राइवर) और ट्रांजिस्टर की एक जोड़ी। बोर्ड के ऊपरी और निचले हिस्से में उच्च-सटीक 20.8 ओम प्रतिरोध अवरोधक वर्तमान को नियंत्रित करते हैं। दाईं ओर 14-तार फ्लेक्स केबल ड्राइवरों को कोर बोर्डों के ढेर में 14 अवरोध तारों से जोड़ता है।

मेमोरी मॉड्यूल के निचले भाग में निषेध बोर्ड। यह बोर्ड रिकॉर्डिंग के दौरान उपयोग किए जाने वाले 14 निरोधात्मक संकेतों को उत्पन्न करता है।

क्लॉक ड्राइवर मेमोरी

क्लॉक ड्राइवर एक ऐसा बोर्ड है जो मेमोरी मॉड्यूल के लिए क्लॉक सिग्नल उत्पन्न करता है। जैसे ही कंप्यूटर मेमोरी ऑपरेशन शुरू करता है, मेमोरी क्लॉक द्वारा उपयोग किए जाने वाले विभिन्न घड़ी सिग्नल मॉड्यूल क्लॉक ड्राइवर द्वारा अतुल्यकालिक रूप से उत्पन्न होते हैं। स्टैक और प्रतिबंध बोर्ड के बीच घड़ी ड्राइव बोर्ड मॉड्यूल के निचले भाग में स्थित हैं, इसलिए बोर्ड को देखना मुश्किल है।

क्लॉक ड्राइवर बोर्ड मुख्य मेमोरी स्टैक के नीचे होते हैं, लेकिन लॉक बोर्ड के ऊपर

ऊपर की तस्वीर में बोर्ड के नीले घटक बहु-मोड़ वाले पोटेंशियोमीटर हैं, संभवतः समय या वोल्टेज को समायोजित करने के लिए। प्रतिरोध और कैपेसिटर बोर्डों पर भी दिखाई देते हैं। आरेख कई एमसीडी (मेमोरी क्लॉक ड्राइवर) मॉड्यूल दिखाता है, लेकिन कोई भी मॉड्यूल बोर्डों पर दिखाई नहीं देता है। यह कहना मुश्किल है कि क्या यह सीमित दृश्यता, सर्किट परिवर्तन या इन मॉड्यूल के साथ किसी अन्य बोर्ड की उपस्थिति के कारण है।

मेमोरी I / O पैनल

अंतिम मेमोरी मॉड्यूल बोर्ड I / O पैनल है, जो मेमोरी मॉड्यूल बोर्डों और बाकी LVDC कंप्यूटर के बीच संकेतों को वितरित करता है। सबसे नीचे स्थित हरे रंग का 98-पिन कनेक्टर LVDC मेमोरी चेसिस से जुड़ा है, जो कंप्यूटर से सिग्नल और पावर प्रदान करता है। अधिकांश प्लास्टिक कनेक्टर टूट गए हैं, जिसके कारण संपर्क दिखाई दे रहे हैं। वितरण बोर्ड इस कनेक्टर से दो 49-पिन लचीला केबलों के नीचे (केवल सामने की केबल दिखाई देती है) से जुड़ा हुआ है। अन्य लचीली केबल एक्स-ड्राइवर बोर्ड (बाएं), वाई-ड्राइवर बोर्ड (दाएं), रीडर एम्पलीफायर बोर्ड (ऊपर), और निषेध बोर्ड (नीचे) के संकेतों को वितरित करते हैं। बोर्ड पर 20 कैपेसिटर मेमोरी मॉड्यूल को आपूर्ति की गई बिजली को फ़िल्टर करते हैं।

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LVDC कोर मेमोरी मॉड्यूल ने कॉम्पैक्ट, विश्वसनीय भंडारण प्रदान किया। 8 मेमोरी मॉड्यूल को कंप्यूटर के निचले आधे हिस्से में रखा जा सकता है। इसने कंप्यूटर को 26-बिट शब्दों के 32 किलोवॉट , या 16 किलोवाट को अत्यधिक अत्यधिक विश्वसनीय "डुप्लेक्स" मोड में संग्रहीत करने की अनुमति दी ।

LVDC की एक दिलचस्प विशेषता यह थी कि मेमोरी मॉड्यूल को विश्वसनीयता के लिए प्रतिबिंबित किया जा सकता है। "डुप्लेक्स" मोड में, प्रत्येक शब्द दो मेमोरी मॉड्यूल में संग्रहीत किया गया था। यदि एक मॉड्यूल में कोई त्रुटि हुई, तो सही शब्द दूसरे मॉड्यूल से प्राप्त किया जा सकता है। यद्यपि इसने विश्वसनीयता प्रदान की, इसने स्मृति पदचिह्न को आधा कर दिया। वैकल्पिक रूप से, मेमोरी मॉड्यूल का उपयोग "सिम्प्लेक्स" मोड में किया जा सकता है, प्रत्येक शब्द को एक बार संग्रहीत किया जाता है।

LVDC ने आठ सीपीयू मेमोरी मॉड्यूल को समायोजित किया

एक चुंबकीय कोर मेमोरी मॉड्यूल उस समय का एक दृश्य प्रतिनिधित्व प्रदान करता है जब 5-पाउंड (2.3 किलोग्राम) मॉड्यूल को 8 केबी स्टोर करने के लिए आवश्यक था। हालाँकि, यह स्मृति अपने समय के लिए बहुत सही थी। अर्धचालक DRAM के आगमन के साथ 1970 के दशक में इसी तरह के उपकरणों का उपयोग बंद हो गया।

जब बिजली बंद हो जाती है, तो रैम की सामग्री बच जाती है, इसलिए यह संभावना है कि मॉड्यूल अभी भी सॉफ़्टवेयर को संग्रहीत करता है जब आपने आखिरी बार कंप्यूटर का उपयोग किया था। हां, हां, आप दशकों बाद भी वहां कुछ दिलचस्प पा सकते हैं। इस डेटा को पुनर्प्राप्त करने की कोशिश करना उत्सुक होगा, लेकिन एक क्षतिग्रस्त सर्किट एक समस्या पैदा करता है, इसलिए सामग्री संभवतः एक और दशक के लिए मेमोरी मॉड्यूल से निकालने में सक्षम नहीं होगी। Cloud4Y

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सैटर्न 5 रॉकेट में चुंबकीय कोर पर स्मृति